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超薄晶圆平坦化加工夹持的方法与流程。目前国外对于LT薄片加工的方法为双面抛光后进行单面粗化来达到制程应用的需求,但此种工艺需对晶片进行双面抛光加工,加工时间与成本上升许多,且难以保证单面粗化的过程对于晶片另一表面不会造成损伤。
国内另有一种现有工法为单面抛光制程,该制程利用上蜡或者吸附垫方式将晶片固定住,然而此作法做出来的晶片平坦度水准较双抛工艺差,常常造成后段黄光微影制程的困扰,致使晶片表现不佳亦或是短路。
双抛工艺受限夹治具的刚性强度要求,晶片越往薄化发展代表对应的夹具需要更薄,此时夹具刚性已无法提供稳定的加工保证,其时成品率将大幅降低或者加工成本会大幅上升。
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